Untitled Document
карта сайта добавить в избранное
о проекте
Авторизация Регистрация
Увеличить размер шрифта
Новости Топ-100 Отзывы Файлы Статьи Цены
События Ресурсы Рейтинг Глоссарий Книги Форум

Новости
  Выставки
  Новое в Интернете
  Новости индустрии
  Новости портала
  Пресс релизы
Вы сможете стать автором cworld.ru и участвовать в жизни портала. , мы рады сотрудничеству. Возможна оплата вашего труда.
Поиск цен
В поле ввода напишите название модели
Количество новостей: 1
В IBM изобрели мономолекулярные запоминающие устройства | 12 08/06
Бипиридил-динитро-олигофенилен-этинилен-дитиол… Запомнить это название без профессиональных навыков непросто, а между тем, единственная молекула этого вещества сама обладает способностью «запоминания», изменяя и сохраняя свою проводимость под действием электрических импульсов, что дает основание рассматривать получивший аббревиатуру BPDN-DT материал в качестве основы для построения перспективных запоминающих устройств высочайшей плотности. Авторство изобретения принадлежит исследователям, работающим в лабораториях компании IBM.

В материалах, посвященных описанию исследований, говорится том, что в лабораторных условиях была протестирована способность единичных молекул BPDN-DT сохранять способность к изменению состояния в течение многих часов во время более чем 500 проведенных опытов. По мнению исследователей, это является «замечательным результатом для мономолекулярных систем». В дальнейших планах разработчики ставят перед собой задачу нахождения связи между строением молекулы и ее электрическими характеристиками, а также создание некоего механизма, ответственного за переключения. Впрочем, окончательного ответа «как это работает», пока нет, и до сих пор продолжаются споры, насколько открытие может быть применимо в коммерческих устройствах.

Согласно предварительным данным от исследователей, процесс переключения между состояниями молекулы занимает не более 640 микросекунд, но верхний предел, по их словам, не может быть определен точнее до полного изучения природы открытого феномена. В случае успешного развития изобретение может стать одним из вариантов преодоления физического предела уменьшения масштабов полупроводниковых структур на основе кремния, находящегося около 10 нм, тогда как молекула BPDN-DT имеет в длину около 1,5 нм.

Добавление комментария
Автор: *
Комментарий: *
Оценка:
Антиспам:   * Введите символы, изображенные на рисунке.
Знаком * помечены обязательные для заполнения поля
  

cworld.ru


Где заказать копирайтинг узнайте на бирже eTXT.ru

Copyright @ cworld.ru, 2006