Toshiba представляет встраиваемую память GB NAND емкостью до 4 Гбайт | 09 01/07
Корпорация Toshiba America Electronic Components (TAEC) сообщила о доступности нового поколения микросхем встраиваемой NAND флэш-памяти, в которых объединено до 4 Гбайт NAND флэш-памяти (выполненной по технологии многоуровневых ячеек) и контроллер интерфейса SD.
Встраиваемые микросхемы GB NAND являются многочиповыми решениями, отличаясь от MCP наличием встроенного контроллера, и позиционируются для использования в портативных проигрывателях аудио и видео, игровых устройствах, GPS-навигаторах и КПК. Имеется возможность подключения GB NAND и контроллера внешней SD-карты с одной шине – для устройств с возможностью расширения памяти SD-картами.
Спецификации встраиваемой NAND флэш-памяти Toshiba:
Емкость:
THGVS1G3D1CXGI1 - 1 Гбайт
THGVS1G4D1CXGI1 - 2 Гбайт
THGVS1G5D1CXGI1 – 4 Гбайт
Напряжения питания: 2,7-3,6 В
Стандарт: SD Memory Card
Скорость чтения: 10 Мбайт/с
Скорость записи: 5 Мбайт/с
Размеры: 18х12х1,2 мм BGA (1 и 2 Гбайт) и 18х12х1,4 мм BGA (4 Гбайт)
Масса: 5 г
Увеличить размер шрифта
